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Model 2651A
고 전력 시스템 소스 미터
(2000W 펄스 전력, 200W DC 전력,그리고 50A, pA 및 uA 분해능의 40V)
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고전력 시스템 소스미터 SMU계측기
고전류 모델 2651A는 다이오드, FETs, 그리고 IGBT 등과 같은 물질 뿐만 아니라 질화갈륨(gallium nitride), 탄화수소(silicon carbide), 그리고 다른 반도체 합성물질이나 디바이스 등과 같이 더 새로운 물질을 포함하여 반도체 디바이스 파워 테스팅과 같은 어플리케이션에 사용할 수 있습니다.
제품 주요 특징
- 동급 최고의 저전류 분해능에서 최대 3kV 또는 50A 펄스 소싱 및 측정
- 계측기당 최대 2000W 펄스 또는 200W DC 출력
- 고출력 반도체, 전자장치 및 소재의 특성화 및 테스트에 최적화
- TSP 및 TSP-Link 기술을 통해 메인프레임 기반 시스템의 채널 한계없이 SMU 핀 단위 패러럴(per-pin-parallel) 테스트 가능
- 듀얼 디지타이징 A/D 컨버터가 최대 1 µs/point로 샘플링하여 전류 및 전압 파형을 동시에 특성화
모델별 주요 스펙 비교
| 모델 | 출력특성 | 4분원 소스 또는 싱크 기능 |
분해능 | 적용분야 |
| 2651A | 최대 50A(또는 2개 장치에서 100A) 및 최대 2000W 펄스/200W DC 출력 |
최대 ±40V 및 ±50A | 100fA/1µs 분해능 | 고전류, 고출력 디바이스 테스트 |
| 2657A | 최대 3000V 및 최대 180W 출력 | 20mA에서 최대 3000V 또는 120mA에서 1500V |
1fA/100µV 분해능 | 고전압, 고출력, 저전류 디바이스 테스트 |
어플리케이션 분야
- Power semiconductor, HBL ED, and optical device characterization and testing
- Solar cell characterization and testing
- Characterization of GaN, SiC, and other compound materials and devices
- Semiconductor junction temperature characterization
- High speed, high precision digitization
- Electromigration studies
- High current, high power device testing
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(우)07299 서울특별시 영등포구 경인로 775 (문래동 3가, 에이스하이테크시티 3동 2층)
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